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    4406和4435双桥道理图;场效应管达到雪崩电流会怎

    更新时间: 2019-05-21

      采用的电感值越大,雪崩电流值越小,但雪崩能量越大,出产线上需要测试时间越长,出产率越低。电感值太小,雪崩能量越小。目前低压的功率MOS管凡是取0.1mH,此时,雪崩电流相对于最大的持续的漏极电流值ID有较着的改变,并且测试时间比力合适范畴。

      正在开关管雪崩击穿过程中,能量集中正在功率器件各耗散层和沟道中,正在寄生三极管激活导通发生二次击穿时,MOSFET会陪伴急剧的发烧现象,这是能量的表示。

      寄望:丈量雪崩能量时,功率MOS督工做正在UIS非钳位开关形态下,因而功率MOSFET不是工做正在放大区,而是工做正在可变电阻区和截止区。因而最大的雪崩电流IAV凡是小于最大的持续的漏极电流值ID。

      漏极电压持续升高,则漏极体二极管因为雪崩倍减产生载流子,而进入持续导通模式,此时,全数的漏极电流(此时即雪崩电流)流过体二极管,而沟道电流为零。

      标称的IAV凡是要将前面的测试值做70%或80%降额处置,因而它是一个能够的参数。一些功率MOS管供应商会对这个参数正在出产线%全数检测,因为有降额,因而不会损坏器件。

      雪崩电流正在功率MOS管的数据表中暗示为IAV,雪崩能量代表功率MOS管抗过压冲击的能力。正在测试过程中,拔取必然的电感值,然后将电流增大,也就是功率MOS管开通的时间添加,然后关断,曲到功率MOSFET损坏,对应的最大电流值就是最大的雪崩电流。

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