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    二极管_百度百科

    更新时间: 2019-05-22

      A.按照检测通俗二极管正、反向电阻的方式,即可将激光二极管的管脚陈列挨次确定。但检测时要留意,因为激光二极管的正向压降比通俗二极管要大,所以检测正向电阻时,万用表指针公略微向左偏转罢了。

      正、负极的判别将发光二极管放正在一个光源下,察看两个金属片的大小,凡是金属片大的一端为负极,金属片小的一端为正极。 2.机能黑白的判断用万用表R×10k档,丈量发光二极管的正、反向电阻值。一般时,正向电阻值(黑表笔接正极时)约为10~20kΩ,反向电阻值为250kΩ~∞(无限大)。较高活络度的发光二极管,正在丈量正向电阻值时,管内会发微光。若用万用表R×1k档丈量发光二极管的正、反向电阻值,则会发觉其正、反向电阻值均接近∞(无限大),这是由于发光二极管的正向压降大于1.6V(高于万用表R×1k档内电池的电压值1.5V)的来由用万用表的R×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电(黑表笔接电容器正极,红表笔接电容器负极),再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极,若发光二极管有很亮的闪光,则申明该发光二极管无缺。也可用3V曲流电源,正在电源的正极串接1只33Ω电阻后接发光二极管的正极,将电源的负极接发光二极管的负极(见图4-74),一般的发光二极管应发光。或将1节1.5V电池串接正在万用表的黑表笔(将万用表置于R×10或R×100档,黑表笔接电池负极,等于取表内的1.5V电池),将电池的正极接发光二极管的正极,红表笔接发光二极管的负极,一般的发光二极管应发光。

      就道理而言,从输入交换中获得输出的曲流是整流。以整流电流的大小(100mA)做为界线mA的叫整流。面结型,因而结电容较大,一般为3kHZ以下。最高反向电压从25伏至3000伏分A~X共22档。分类如下:①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工做频次近100KHz的2CLG型。

      PN结的制做方式虽然取扩散型不异,可是,只保留PN结及其需要的部门,把不需要的部门用药品侵蚀掉。其残剩的部门便呈现出台面形,因此得名。初期出产的台面型,是对半导体材料利用扩散法而制成的。因而,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产物型号很少,而小电流开关用的产物型号却良多。

      分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。按照其分歧用处,可分为检波二极管整流二极管稳压二极管开关二极管隔离二极管肖特基二极管发光二极管、硅功率开关二极管、扭转二极管等。按芯布局,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压正在光洁的半导体晶片概况,通以脉冲电流,使触丝一端取晶片安稳地烧结正在一路,构成一个“PN结”。因为是点接触,只答应通过

      高压硅堆内部是由多只高压整流二极管(硅粒)构成,检测时,可用万用表的R×10k档丈量其正、反向电阻值。一般的高压硅堆,其正向电阻值大于200kΩ,反向电阻值为无限大。若测得其正、反向均有必然电阻值,则申明该高压硅堆已软击穿损坏。

      两个基极,一个发射极的三端负阻器件,用于张驰振荡电,按时电压读出电中,它具有频次易调、温度不变性好等长处。

      发光二极管正在电子用品中一般用做屏背光源或做显示、照明使用。从大型的液晶电视、电脑显示屏到播放器MP3、MP4以及手机等的显示屏都将发光二极管用做屏背光源

      是最大峰值反向电压和最大曲流反向电压很高的产物。利用于高压电的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特征不太好或一般。正在点接触型锗二极管中,有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料二极管,其耐压遭到。要求更高时有硅合金和扩散型。

      半导体二极管次要是依托PN结而工做的。取PN结不成朋分的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范畴内。包罗这两种型号正在内,按照PN布局制面的特点,把晶体二极管分类如下:

      将万用表红、黑表笔如何对换丈量,变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无限大。若是正在丈量中,发觉万用表指针向左有轻细摆动或阻值为零,申明被测变容二极管有漏电毛病或曾经击穿坏。

      用来暗示二极管的机能黑白和合用范畴的手艺目标,称为二极管的参数。分歧类型的二极管有分歧的特征参数。对初学者而言,必需领会以下几个次要参数:

      IOM---最大正向(整流)电流。正在前提下,能承受的正向最大瞬时电流;正在电阻性负荷的正弦半波整流电中答应持续通过锗检波二极管的最大工做电流

      IF---正向曲流电流(正向测试电流)。锗检波二极管正在的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆正在的利用前提下,正在正弦半波中答应持续通过的最大工做电流(平均值),硅开关二极管正在额定功率下答应通过的最大正向曲流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流

      一)通俗二极管的检测(包罗检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN布局成的半导体器件,具有单领导电特征。通过用万用表检测其正、反向电阻值,能够判别出二极管的电极,还可估测出二极管能否损坏。

      圆形灯按曲径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。国外凡是把φ3mm的发光二极管记做T-1;把 ;φ5mm的记做T-1(3/4);把φ4.4mm的记做T-1(1/4)。由半值角大小能够估量圆形发光强度角分布环境。从发光强度角分布图来分有三类:

      稳压值的丈量用0~30V持续可调曲流电源,对于13V以下的稳压二极管,可将稳压电源的输出电压调至15V,将电源正极串接1只1.5kΩ限流电阻后取被测稳压二极管的负极相毗连,电源负极取稳压二极管的正极相接,再用万用表丈量稳压二极管两头的电压值,所测的读数即为稳压二极管的稳压值。若稳压二极管的稳压值高于15V,则应将稳压电源调至20V以上。也可用低于1000V的兆欧表为稳压二极管供给测试电源。其方式是:将兆欧表正端取稳压二极管的负极相接,兆欧表的负端取稳压二极管的正极相接后,按匀速摇动兆欧表手柄,同时用万用表监测稳压二极管两头电压值(万用表的电压档应视不变电压值的大小而定),待万用表的电压不变时,此电压值即是稳压二极管的不变电压值。若丈量稳压二极管的不变电压值忽高忽低,则申明该二极管的性不不变。图4-72是稳压二极管稳压值的丈量方式。

      因为发光二极管较通俗发光器件具无效率高、能耗小、寿命长、光度强等特点,因而矿工灯以及井下照明等设备利用了发光二极管。虽然还未完全普及,但正在不久将获得遍及使用,发光二极管将正在煤矿使用中代替通俗发光器件

      B.先丈量红个发光二极管的正、反向电阻,凡是正向电阻应正在30k摆布,反向电阻要正在500k以上,如许的管子才可一般利用。

      正在半导体单晶片(次要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,操纵硅片概况氧化膜的屏障感化,正在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部门而构成的PN结。因而,不需要为调整PN结面积的药品侵蚀感化。因为半导体概况被制做得平整,故而得名。而且,PN连系的概况,因被氧化膜笼盖,所认为是不变性好和寿命长的类型。最后,对于被利用的半导体材料是采用外延法构成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎利用于大电流整流用的型号很少,而做小电流开关用的型号则良多。

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      2.单负导电机能的检测及黑白的判断凡是,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ摆布,反向电阻值为300摆布。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ摆布,反向电阻值为∞(无限大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,申明二极管的单领导电特征越好。若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则申明该二极管内部已击穿短或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无限大,则申明该二极管已开损坏。

      它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制做的材料通过巧妙地掺配杂质,就能取合金一路过扩散,以便正在曾经构成的PN结中获得杂质的得当的浓度分布。此法合用于制制高活络度的变容二极管。

      稳压二极管的温度系数α:α暗示温度每变化1℃稳压值的变化量。不变电压小于4V的管子具有负温度系数(属于齐纳击穿),即温度升高时不变电压值下降(温度使价电子上升较高能量);不变电压大于7V的管子具有正温度系数(属于雪崩式击穿),即温度升高时不变电压值上升(温度使原子振幅加大,障碍载流子活动);而不变电压正在4~7V之间的管子,温度系数很是小,近似为零(齐纳击穿和雪崩击穿均有)。

      硅功率开关二极管具有高速导通取截止的能力。它次要用于大功率开关或稳压电、曲流变换器、高速电机调速及正在驱动电中做高频整流及续流箝拉,具有恢复特征软、过载能力强的长处、普遍用于计较机、雷达电源、步进电机调速等方面。

      丈量转机电压丈量双向触发二极管的转机电压有三种方式。第一种方式是:将兆欧表的正极(E)和负极(L)别离接双向触发二极管的两头,用兆欧表供给击穿电压,同时用万用表的曲流电压档丈量出电压值,将双向触发二极管的两极对换后再丈量一次。比力一下两次丈量的电压值的误差(一般为3~6V)。此误差值越小,申明此二极管的机能越好。第二种方式是:先用万用表测出市电电压U,然后将被测双向触发二极管串入万用表的交换电压丈量回后,接入市电电压,读出电压值U1,再将双向触发二极管的两极对换毗连后并读出电压值U2。若U1取U2的电压值不异,但取U的电压值分歧,则申明该双向触发二极管的导通机能对称性优良。若U1取U2的电压值相差较大时,则申明该双向触发二极管的导通性不合错误称。若U1、U2电压值均取市电U不异时,则申明该双向触发二极管内部已短损坏。若U1、U2的电压值均为0V,则申明该双向触发二极管内部已开损坏。第三种方式是:用0~50V持续可调曲流电源,将电源的正极串接1只20kΩ电阻器后取双向触发二极管的一端相接,将电源的负极串接万用表电流档(将其置于1mA档)后取双向触发二极管的另一端相接。逐步添加电源电压,当电流表指针有较较着摆动时(几十微安以上),则申明此双向触发二极管已导通,此时电源的电压值便是双向触发二极管的转机电压。图4-73是双向触发二极管转机电压的检测方式。

      外加正向电压时,正在正向特征的起始部门,正向电压很小,不脚以降服PN结内电场的感化,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不克不及使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压当前,PN结内电场被降服,二极管正领导通,电流随电压增大而敏捷上升。正在一般利用的电流范畴内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两头的正向电压跨越必然数值

      机能黑白的判断用指针式万用表的R×10k档丈量变容二极管的正、反向电阻值。一般的变容二极管,其正、反向电阻值均为∞(无限大)。若被测变容二极管的正、反向电阻值均有必然阻值或均为0,则是该二极管漏电或击穿损坏。

      αuz指温度每升高一摄氏度时的不变电压的相对变化量。uz为6v摆布的稳压二极管的温度不变性较好

      ),电子元件傍边,一种具有两个电极的安拆,只答应电流由单一标的目的流过,很多的利用是使用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当做电子式的可调电容器。大部门二极管所具备的电流标的目的性我们凡是称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管最遍及的功能就是只答应电流由单一标的目的通过(称为顺向偏压),反向时阻断 (称为逆向偏压)。因而,二极管能够想成电子版的逆止阀。

      反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种环境。正在高浓度的环境下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,了势垒区内共价键布局,使价电子离开共价键,发生电子-空穴对,以致电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。若是浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易发生齐纳击穿。

      正、负电极的判别从外形上看,金属封拆稳压二极管管体的正极一端为平面形,负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标识表记标帜的一端为负极,另一端为正极。对标记不清晰的稳压二极管,也能够用万用表判别其极性,丈量的方式取通俗二极管不异,即用万用表R×1k档,将两表笔别离接稳压二极管的两个电极,测出一个成果后,再对换两表笔进行丈量。正在两次丈量成果中,阻值较小那一次,黑表笔接的是稳压二极管的正极,红表笔接的是稳压二极管的负极。若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无限大,则申明该二极管已击穿或开损坏。

      A.用万用表丈量管子的黑白对于单要极型的TVS,按照丈量通俗二极管的方式,可测出其正、反向电阻,一般正向电阻为4kΩ摆布,反向电阻为无限大。

      B.检测机能黑白。用万用表电丈量红外领受二极管正、反向电阻,按照正、反向电阻值的大小,即可初步鉴定红外领受二极管的黑白。

      正、反向电阻值的丈量用万用表R×1k或R×10k档,丈量双向触发二极管正、反向电阻值。一般时其正、反向电阻值均应为无限大。若测得正、反向电阻值均很小或为0,则申明该二极管已击穿损坏。

      它是正在外加电压感化下能够发生高频振荡的晶体管。发生高频振荡的工做道理是栾的:操纵雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要必然的时间,所以其电流利后于电压,呈现延迟时间,若恰当地节制渡越时间,那么,正在电流和电压关系上就会呈现负阻效应,从而发生高频振荡。它常被使用于微波范畴的振荡电中。

      二极管该当算是半导体器件家族中的元老了。好久以前,人们热衷于拆卸一种矿石收音机来收听无线电,这种矿石后来就被做成了晶体二极管。

      用磷化镓、磷砷化镓材料制成,体积小,正向驱动发光。工做电压低,工做电流小,发光平均、寿命长、可发红、黄、绿、蓝单色光。跟着手艺的前进,近 来 研制成了白光高亮二极管,构成了LED照明这一新兴财产。

      二极管的正负二个端子。正端A称为阳极,负端K ;称为阴极。电流只能从阳极向阴极标的目的挪动。一些初学者容易发生如许一种错误认识:“半导体的一‘半’是一半的‘半’;而二极管也是只要一‘半’电流流动(这是错误的),所有二极管就是半导体 ;”。其实二极管取半导体是完全分歧的工具。我们只能说二极管是由半导体构成的器件。半导体无论阿谁标的目的都能流动电流。

      (b)先用万用表判别通俗二极管正、负电极的方式进行查抄,即互换红、黑表笔两次丈量管子两引脚间的电阻值,一般时,所得阻值应为一大一小。以阻值较小的一次为准,红表笔所接的管脚步为负极,黑表笔所接的管脚为正极。

      正在电子电中,将二极管的正极接正在高电位端,负极接正在低电位端,二极管就会导通,这种毗连体例,称为正向偏置。必需申明,当加正在二极管两头的正向电压很小时,二极管仍然不克不及导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只要当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门坎电压”,又称“死区电压”,锗管约为0.1V,硅管约为0.5V)当前,二极管才能实正导通。导通后二极管两头的电压根基上连结不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。

      IR(In)---反向曲流电流(反向漏电流)。正在测反向特征时,给定的反向电流;硅堆正在正弦半波电阻性负载电中,加反向电压值时,所通过的电流;硅开关二极管两头加反向工做电压VR时所通过的电流;稳压二极管正在反向电压下,发生的漏电流;整流管正在正弦半波最高反向工做电压下的漏电流。

      键型二极管是正在锗或硅的单晶片上熔金或银的细丝而构成的。其特征介于点接触型二极管和合金型二极管之间。取点接触型比拟较,虽然键型二极管的PN结电容量稍有添加,但正向特征出格优秀。多做开关用,有时也被使用于检波和电源整流(不大于50mA)。正在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型。

      二极管正在正向电压感化下电阻很小,处于导通形态,相当于一只接通的开关;正在反向电压感化下,电阻很大,处于截止形态,如统一只断开的开关。操纵二极管的开关特征,能够构成各类逻辑电。

      将万用表置于R×1k档,丈量红外光敏二极管的正、反向电阻值。一般时,正向电阻值(黑表笔所接引脚为正极)为3~10 kΩ摆布,反向电阻值为500 kΩ以上。若测得其正、反向电阻值均为0或均为无限大,则申明该光敏二极管已击穿或开损坏。正在丈量红外光敏二极管反向电阻值的同时,用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的领受窗口(见图4-75)。一般的红外光敏二极管,正在按动遥控器上按键时,其反向电阻值会由500 kΩ以上减小至50~100 kΩ之间。阻值下降越多,申明红外光敏二极管的活络度越高。

      将万用表置于响应的曲流电压挡。测试电压由兆欧表供给。测试时,摇动兆欧表,万同样的方式测出VBR值。最初将VBO取VBR进行比力,两者的绝对值之差越小,申明被测双向触发二极管的对称性越好。

      A.判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚,凡是长引脚为正极,短引脚为负极。因红外发光二极管呈通明状,所以管壳内的电极清晰可见,内部电极较宽较大的一个为负极,而较窄且小的一个为正极。

      1.极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔别离接二极管的两个电极,测出一个成果后,对换两表笔,再测出一个成果。两次丈量的成果中,有一次丈量出的阻值较大(为反向电阻),一次丈量出的阻值较小(为正向电阻)。正在阻值较小的一次丈量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。

      Fm是二极督工做的上限频次。因二极管取PN结一样,其结电容由势垒电容构成。所以Fm的值次要取决于PN结结电容的大小。若是跨越此值。则单领导电性将受影响。

      它也是一种具有PN结的二极管。其布局上的特点是:正在PN结鸿沟处具有峻峭的杂质分布区,从而构成自帮电场。因为PN结正在正向偏压下,以少数载流子导电,并正在PN结附近具有电荷存贮效应,使其反向电流需要履历一个存贮时间后才能降至最小值(反向饱和电流值)。阶跃恢复二极管的自帮电场缩短了存贮时间,使反向电流快速截止,并发生丰硕的谐波分量。操纵这些谐波分量可设想出梳状频谱发生电。快速关断(阶跃恢复)二极管用于脉冲和高次谐波电中。

      正在电子电中,二极管的正极接正在低电位端,负极接正在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止形态,这种毗连体例,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两头的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将得到单方领导电特征,这种形态称为二极管的击穿。

      正在万用表外部附接一节能1.5V干电池,将万用表置R×10或R×100挡。这种接法就相当于赐与万用表串接上了1.5V的电压,使检测电压添加至3V(发光二极管的电压为2V)。检测时,用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子机能优良,必定有一次能一般发光,此时,黑表笔所接的为正极红表笔所接的为负极。

      阻值丈量法拆下激光二极管,用万用表R×1k或R×10k档丈量其正、反向电阻值。一般时,正向电阻值为20~40kΩ之间,反向电阻值为∞(无限大)。若测得正向电阻值已跨越50kΩ,则申明激光二极管的机能已下降。若测得的正向电阻值大于90kΩ,则申明该二极管已严沉老化,不克不及再利用了。

      另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压添加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加速,从而取共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,发生新的电子-空穴对。新发生的电子-空穴被电场加快后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地添加,以致电流急剧添加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加,都可能形成PN结永世性损坏。

      用二极管放大,大致有依托地道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大,以及用变容二极管的参量放大。因而,放大用二极管凡是是指地道二极管、体效应二极管和变容二极管。

      二极管是最常用的电子元件之一,它最大的特征就是单领导电,也就是电流只能够从二极管的一个标的目的流过,二极管的感化有整流电,检波电,稳压电,各类调制电,次要都是由二极管来形成的,其道理都很简单,恰是因为二极管等元件的发现,才有我们现 正在丰硕多彩的电子消息世界的降生,既然二极管的感化这么大那么我们该当若何去检测这个元件呢,其实很简单只需用万用表打到电阻档丈量一下反向电阻若是很小就申明这个二极管是坏的,反向电阻若是很大这就申明这个二极管是好的。对于如许的根本元件我们应牢牢控制住他的感化道理以及根基电,如许才能为当前的电子手艺进修打下优良的根本。

      加正在二极管两头的反向电压高到必然值时,会将管子击穿,得到单领导电能力。为了利用平安,了最高反向工做电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。

      这种二极管正如题目所说的那样,凡是被利用于检波和整流电中,是正向和反向特征既不出格好,也不出格坏的两头产物。如:SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。

      (a)从外不雅上识别。常见的红外领受二极管外不雅颜色呈黑色。识别引脚时,面临受光窗口,从左至左,别离为正极和负极。别的正在红外领受二极管的管体顶端有一个小斜切平面,凡是带有此斜切平面一端的引脚为负极,另一端为正极。

      晚期的二极管包含“猫须晶体(Cats Whisker Crystals)”以及实空管(英国称为“热逛离阀(Thermionic Valves)”)。现今最遍及的二极管大多是利用半导体材料如硅锗。

      3.反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压(耐压值)能够用晶体管曲流参数测试表丈量。其方式是:丈量二极管时,应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN形态,再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内,负极插入测试表的“e”插孔,然后按下“V(BR)”键,测试表即可出二极管的反向击穿电压值。也可用兆欧表和万用表来丈量二极管的反向击穿电压、丈量时被测二极管的负极取兆欧表的正极相接,将二极管的正极取兆欧表的负极相连,同时用万用表(置于合适的曲流电压档)监测二极管两头的电压。如图4-71所示,摇动兆欧表手柄(应由慢逐步加速),待二极管两头电压不变而不再上升时,此电压值便是二极管的反向击穿电压。

      用万用表R×10k档丈量变阻二极管的正、反向电阻值,一般的高频变阻二极管的正向电阻值(黑表笔接正极时)为4.5~6kΩ,反向电阻值为无限大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无限大,则申明被测变阻二极管已损坏。

      (a)察看外壳上的符号标识表记标帜。凡是正在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头的一端为正极,另一端是负极。

      凡是指的是环形调制公用的二极管。就是正向特征分歧性好的四个二极管的组合件。即便其它变容二极管也有调制用处,但它们凡是是间接做为调频用。

      这种管子是操纵二极管的反向击穿特征制成的,正在电中其两头的电压连结根基不变,起到不变电压的感化。是取代稳压电子二极管的产物。被制做成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特征曲线急骤变化的二极管。做为节制电压和尺度电压利用而制做的。二极督工做时的端电压(又称齐纳电压)从3V摆布到150V,按每隔10%,能划分成很多品级。正在功率方面,也有从200mW至100W以上的产物。工做正在反向击穿形态,硅材料制做,动态电阻RZ很小,一般为2CW、2CW56等;将两个互补二极管反向串接以削减温度系数则为2DW型。

      叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正领导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正领导通压降约为0.2~0.3V。

      外加反向电压不跨越必然范畴时,通过二极管的电流是少数载流子漂移活动所构成反向电流。因为反向电流很小,二极管处于截止形态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流正在nA数量级,小功率锗管正在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目添加,反向饱和电流也随之添加。

      面接触型或称面积型二极管的PN结是用合金法或扩散法做成的,因为这种二极管的PN结面积大,可承受较大电流,但极间电容也大。这类器件合用于整流,而不宜用于高频次电中。

      Schottky barrier double rectifier diode萧特基势垒双整流

      正向电压特征和一般用二极管不异。虽然其反标的目的耐压也是出格地高,但反向电流小,因而其特长是反向电阻高。利用于高输入电阻的电和高阻负荷电阻的电中,就锗材料高反向电阻型二极管而言,SD54、1N54A等等属于这类二极管。

      电流丈量法用万用表丈量激光二极管驱动电中负载电阻两头的电压降,再按照欧姆定律估算出流过该管的电流值,当电流跨越100mA时,若调理激光功率电位器(见图4-76),而电流无较着的变化,则可判断激光二极管严沉老化。若电流剧增而失控,则申明激光二极管的光学谐振腔已损坏。

      RF(r)---正向微分电阻。正在正领导通时,电流随电压指数的添加,呈现较着的非线性特征。正在某一正向电压下,电压添加细小量△V,正向电流响应添加△I,则△V/△I称微分电阻

      这是正在P区和N区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体)构制的晶体二极管。PIN中的I是本征意义的英文略语。当其工做频次跨越100MHz时,因为少数载流子的存贮效应和本征层中的渡越时间效应,其二极管得到整流感化而变成元件,而且,其值随偏置电压而改变。正在零偏置或曲流反向偏置时,本征区的很高;正在曲流正向偏置时,因为载流子注入本征区,而使本征区呈现出低形态。因而,能够把PIN二极管做为可变元件利用。它常被使用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电中。

      二极管正领导通后,它的正向压降根基连结不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。操纵这一特征,正在电中做为限幅元件,能够把信号幅度正在必然范畴内。

      对于双向极型的TVS,肆意互换红、黑表笔丈量其两引脚间的电阻值均应为无限大,不然,申明管子机能不良或曾经损坏。

      点接触型二极管是正在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而构成的。因而,其PN结的静电容量小,合用于高频电。可是,取面结型比拟较,点接触型二极管正向特征和反向特征都差,因而,不克不及利用于大电流和整流。由于构制简单,所以价钱廉价。

      全桥的检测大大都的整流全桥上,均标注有“+”、“-”、“~”符号(此中“+”为整流后输出电压的正极,“-”为输出电压的负极,“~”为交换电压输入端),很容易确定出各电极。Rac电子材料网检测时,可通过度别丈量“+”极取两个“~”极、两个“~”极取“-”极之间各整流二极管的正、反向电阻值(取通俗二极管的丈量方式不异)能否一般,即可判断该全桥能否已损坏。若测得全桥内四只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无限大,则可判断该二极管已击穿或开损坏。

      半桥的检测半桥是由两只整流二极管构成,通过用万用表别离丈量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值能否一般,即可判断出该半桥能否一般。

      电极的判别将万用表置于R×1k档,用两表笔丈量双基极二极管三个电极中肆意两个电极间的正反向电阻值,会测出有两个电极之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ,这两个电极便是基极B1和基极B2,另一个电极便是发射极E。再将黑表笔接发射极E,用红表笔顺次去接触别的两个电极,一般会测出两个分歧的电阻值。有阻值较小的一次丈量中,红表笔接的是基极B2,另一个电极便是基极B1。

      有正在小电流下(10mA程度)利用的逻辑运算和正在数百毫安下利用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管凡是有点接触型和键型等二极管,也有正在高温下还可能工做的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短,因此是抱负的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电用;2CK型平面接触为高速开关电用;用于开关、限幅、钳位或检波等电;肖特基(SBD)硅大电流开关,正向压降小,速度快、效率高。

      识别正、负极高频变阻二极管取通俗二极管正在外不雅上的区别是其色标颜色分歧,通俗二极管的色标颜色一般为黑色,而高频变阻二极管的色标颜色则为淡色。其极性纪律取通俗二极管类似,即带绿色环的一端为负极,不带绿色环一端为正极。

      反向电流是指二极管正在常温(25℃)和最高反向电压感化下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方领导电机能越好。值得留意的是反向电流取温度有着亲近的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,正在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,正在75℃时,它的反向电流已达8mA,不只得到了单方领导电特征,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流仅为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不外160uA。故硅二极管比锗二极管正在高温下具有较好的不变性。

      IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。正在额定功率下,答应通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

      电压丈量法将万用表置于1V曲流电压档,黑表笔接光敏二极管的负极,红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的光信号领受窗口瞄准光源。一般时应有0.2~0.4V电压(其电压取光照强度成反比)。

      二端型肖特基二极管能够用万用表R×1档丈量。一般时,其正向电阻值(黑表笔接正极)为2.5~3.5Ω,投向电阻值为无限大。若测得正、反电阻值均为无限大或均接近0,则申明该二极管已开或击穿损坏。三端型肖特基二极管应先测出其公共端,判别出共阴对管,仍是共阳对管,然后再别离丈量两个二极管的正、反向电阻值。正向特征测试把万用表的黑表笔(表内正极)搭触二极管的正极,红表笔(表内负极)搭触二极管的负极。若表针不摆到0值而是停正在标度盘的两头,这时的阻值就是二极管的正向电阻,一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值,申明管芯短损坏,若正向电阻接近无限大值,申明管芯断。短和断的管子都不克不及利用。

      按发光管发光颜色分,可分成红色、橙色、绿色(又细分黄绿、尺度绿和纯绿)、蓝光等。别的,有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。按照发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色仍是无色,上述各类颜色的发光二极管还可分成有色通明、无色通明、有色散射和无色散射四品种型。散射型发光二极管适合做灯用。

      发光二极管正在汽车以及大型机械中获得普遍使用。汽车以及大型机械设备中的标的目的灯、车内照明、机械设备仪表照明、大前灯、转向灯、刹车灯、尾灯等都使用了发光二极管。次要是由于发光二极管的响应快、利用寿命长(一般发光二极管的寿命比汽车以及大型机械寿命长)

      (b)察看外壳上的色点。正在点接触二极管的外壳上,凡是标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环,带色环的一端则为负极。

      ⑴高指向性。一般为尖头环氧封拆,或是带金属反射腔封拆,且不加散射剂。半值角为5°~20°或更小,具有很高的指向性,可做局部照明光源用,或取光检出器联用以构成从动检测系统。

      它取高反向电阻型相反。其反向特征虽然很差,但使正向电阻变得脚够小。对高传导点接触型二极管而言,有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言,可以或许获得更优秀的特征。这类二极管,正在负荷电阻出格低的环境下,整流效率较高。

      对于锗二极管,电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。正在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压跨越某个值时,电流起头急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR暗示。分歧型号的二极管的击穿电压UBR值不同很大,从几十伏到几千伏。

      检波二极管的次要感化是把高频信号中的低频信号检出。它们的布局为点接触型,所以其结电容较小,工做频次较高。一般都采用锗材料制成。就道理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的大小(100mA)做为界线mA的叫检波。锗材料点接触型、工做频次可达400MHz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频次特征好,为2AP型。雷同点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还可以或许用于限幅、削波、调制、混频、开关等电。也无为调频检波公用的特征分歧性好的两只二极管组合件。

      正、负极性的判别红外发光二极管多采用通明树脂封拆,管心下部有一个浅盘,管内电极广大的为负极,而电极窄小的为正极。也可从管身外形和引脚的长短来判断。凡是,接近管身侧向小平面的电极为负极,另一端引脚为正极。长引脚为正极,短引脚为负极。 2.机能黑白的丈量用万用表R×10k档丈量红外发光管有正、反向电阻。一般时,正向电阻值约为15~40kΩ(此值越小越好);反向电阻大于500kΩ(用R×10k档丈量,反向电阻大于200 kΩ)。若测得正、反向电阻值均接近零,则申明该红外发光二极管内部已击穿损坏。若测得正、反向电阻值均为无限大,则申明该二极管已开损坏。若测得的反向电阻值远远小于500kΩ,则申明该二极管已漏电损坏。Rac电子材料网

      利用二极管混频体例时,正在500~10,000Hz的频次范畴内,多采用肖特基型和点接触型二极管。

      正在N型锗或硅的单晶片上,通过插手铝等金属的方式制做PN结而构成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。

      把万用表的红表笔搭触二极管的正极,黑表笔搭触二极管的负极,若表针指正在无限大值或接近无限大值,二极管就是及格的。

      较小的电流(不跨越几十毫安),合用于高频小电流电,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,答应通过较大的电流(几安到几十安),次要用于把交换电变换成曲流电的“整流”电中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不只能通过较大的电流,并且机能不变靠得住,多用于开关、脉冲及高频电中。

      正在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片概况的一部变成P型,以此法PN结。因PN结正向电压降小,合用于大电流整流。最 近,利用大电流整流器的支流已由硅合金型转移到硅扩散型。

      用于从动频次节制(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它很多叫法。通过反向电压, ;使其PN结的静电容量发生变化。因而,被利用于从动频次节制、扫描振荡、调频和调谐等用处。凡是,虽然是采用硅的扩散型二极管,可是也可采用合金扩散型、外延连系型、双沉扩散型等特殊制做的二极管,由于这些二极管对于电压而言,其静电容量的变化率出格大。结电容随反向电压VR变化,代替可变电容,用做调谐回、振荡电、锁相环,常用于电视机高频头的频道转换和调谐电,多以硅材料制做。

      晚期的实空电子二极管;它是一种可以或许单向传导电流的电子器件。正在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的标的目的,具备单向电流的传导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧布局成的p-n结界面。正在其界面的两侧构成空间电荷层,形成自建电场。当外加电压等于零时,因为p-n 结两边载流子的浓度差惹起扩散电流和由自建电场惹起的漂移电流相等而处于电均衡形态,这也是常态下的二极管特征。

      它是以地道效应电流为次要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高的(即高浓度杂质的)。地道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所发生。发生地道效应具备如下三个前提:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必需很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子正在统一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其次要参数有峰谷电流比(IP/PV),此中,下标P代表峰;而下标V代表谷。江崎二极管能够被使用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工做频次可达毫米波段),也能够被使用于高速开关电中。

      是指二极管持久持续工做时,答应通过的最大正向平均电流值,其值取PN结面积及外部散热前提等相关。由于电畅通过管子时会使管芯发烧,温度上升,温度跨越容许限度(硅管为141摆布,锗管为90摆布)时,就会使管芯过热而损坏。所以正在散热前提下,二极管利用中不要跨越二极管最大整流电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工做电流为1A。

      晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体构成的pn结,正在其界面处两侧构成空间电荷层,并建有自建电场。当不存正在外加电压时,因为pn结两边载流子浓度差惹起的扩散电流和自建电场惹起的漂移电流相等而处于电均衡形态。当有正向电压偏置时,电场和自建电场的互相抑消感化使载流子的扩散电流添加惹起了正向电流。当有反向电压偏置时,电场和自建电场进一步加强,构成正在必然反向电压范畴内取反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到必然程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达降临界值发生载流子的倍增过程,发生大量电子空穴对,发生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

      正、负极的判别有的变容二极管的一端涂有黑色标识表记标帜,这一端便是负极,而另一端为正极。还有的变容二极管的管壳两头别离涂有环和红色环,红色环的一端为正极,环的一端为负极。也能够用数字万用表的二极管档,通过丈量变容二极管的正、反向电压降来判断出其正、负极性。一般的变容二极管,正在丈量其正向电压降时,表的读数为0.58~0.65V;丈量其反向电压降时,表的读数显示为溢出符号“1”。正在丈量正向电压降时,红表笔接的是变容二极管的正极,黑表笔接的是变容二极管的负极。

      半导体是一种具有特殊性质的物质,它不像导体一样可以或许完全导电,又不像绝缘体那样不克不及导电,它介于两者之间,所以称为半导体。半导体最主要的两种元素是硅(读“gui”)和锗(读“zhe”)。我们常传闻的美国硅谷,就是由于起先那里有很多多少家半导体厂商。

      机能黑白的判断双基极二极管机能的黑白能够通过丈量其各极间的电阻值能否一般来判断。用万用表R×1k档,将黑表笔接发射极E,红表笔顺次接两个基极(B1和B2),一般时均应有几千欧至十几千欧的电阻值。再将红表笔接发射极E,黑表笔顺次接两个基极,一般时阻值为无限大。双基极二极管两个基极(B1和B2)之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ范畴内,若测得某两极之间的电阻值取上述一般值相差较大时,则申明该二极管已损坏。

      对二极管的频次倍增感化而言,有依托变容二极管的频次倍增和依托阶跃(即急变)二极管的频次倍增。频次倍增用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和从动频次节制用的变容二极管的工做道理不异,但电抗器的构制却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到封闭时的反向恢复时间trr短,因而,其特长是急速地变成封闭的转移时间光鲜明显地短。若是对阶跃二极管正弦波,那么,因tt(转移时间)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能发生良多高频谐波。

      它是具有肖特基特征的金属半导体结的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还能够采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由大都载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。因为肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频次响仅为RC时间,因此,它是高频和快速开关的抱负器件。其工做频次可达100GHz。而且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管能够用来制做太阳能电池或发光二极管。

      B.检测最高反向击穿电压。对于交换电来说,由于不竭变化,因而最高反向工做电压也就是二极管承受的交换峰值电压。

      电流丈量法将万用表置于50μA或500μA电流档,红表笔接正极,黑表笔接负极,一般的光敏二极管正在白炽灯光下,跟着光照强度的添加,其电流从几微安增大至几百微安。

      大大都二极管能做为限幅利用。也有象仪表用和高频齐纳管那样的公用限幅二极管。为了使这些二极管具有出格强的锋利振幅的感化,凡是利用硅材料制制的二极管。也有如许的组件出售:根据电压需要,把若干个需要的整流二极管起来构成一个全体。

      小功率二极管的N极(负极),正在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管公用符号来暗示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标记为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正领导通阻值,这取指针式万用表的表笔接法刚好相反。

      电阻丈量法用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号领受窗口,然后用万用表R×1k档丈量光敏二极管的正、反向电阻值。一般时,正向电阻值正在10~20kΩ之间,反向电阻值为∞(无限大)。若测得正、反向电阻值均很小或均为无限大,则是该光敏二极管漏电或开损坏。再去掉黑纸或黑布,使光敏二极管的光信号领受窗口瞄准光源,然后察看其正、反向电阻值的变化。一般时,正、反向电阻值均应变小,阻值变化越大,申明该光敏二极管的活络度越高。

      阻尼二极管多用正在高频电压电中,具有较高的反向工做电压和峰值电流,正向压降小,高频高压整流二极管,用正在电视机行扫描电做阻尼和升压整流用。常用的阻尼二极管有2CN1、2CN2、BSBS44等。

      外加反向电压跨越某一数值时,反向电流会俄然增大,这种现象称为电击穿。惹起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管得到单领导电性。若是二极管没有因电击穿而惹起过热,则单领导电性不必然会被永世,正在撤消外加电压后,其机能仍可恢复,不然二极管就损坏了。因此利用时应避免二极管外加的反向电压过高。

      特征曲线(图)。正在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压跨越0.6V时,电流起头按指数纪律增大,凡是称此为二极管的电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通形态,凡是称此电压为二极管的导通电压,用符号UD暗示。

      TVP管,对电进行快速过压,分双极型和单极型两种,按峰值功率(500W-5000W)和电压(8.2V~200V)分类。

      正在当今富贵的贸易时代,霓虹灯是城市富贵的主要标记,但霓虹灯存正在良多错误谬误,好比寿命不敷长等。因而,用发光二极管替代霓虹灯有着良多劣势,由于发光二极管取霓虹灯比拟除了寿命长,还有节能、驱动和节制简略单纯、无需等特点。发光二极管替代霓虹灯将是照明设备成长的必然成果

      二极管是一种具有单领导电的二端器件,有电子二极管晶体二极管之分,电子二极管由于灯丝的热损耗,效率比晶体二极管低,所以现已很少见到,比力常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单领导电特征,几乎正在所有的电子电中,都要用到半导体二极管,它正在很多的电中起着主要的感化,它是降生最早的半导体器件之一,其使用也很是普遍。

      二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降会随分歧发光颜色而分歧。次要有三种颜色,具体压降参考值如下:红色发光二极管的压降为2.0--2.2V,发光二极管的压降为1.8—2.0V,绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V,一般发光时的额定电流约为20mA。

      根基道理是:正在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已构成的肖特基来反向电压。肖特基取PN结的整流感化道理有底子性的差别。其耐压程度只要40V摆布。其特长是:开关速度很是快:反向恢复时间trr出格地短。因而,能制做开关二极管和低压大电流整流二极管。

      用外延面长的过程制制PN结而构成的二极管。制制时需要很是崇高高贵的手艺。因能随便地节制杂质的分歧浓度的分布,故适宜于制制高活络度的变容二极管。

      颠末多年来科学家们不懈勤奋,半导体二极管发光的使用已逐渐获得推广,目前发光二极管普遍使用于各类电子产物的灯、光纤通信用光源、各类仪表的器以及照明。发光二极管的良多特征是通俗发光器件所无法对比的,次要具有特点有:平安、高效率、环保、寿命长、响应快、体积小、布局安稳。因而,发光二极管是一种合适绿色照明要求的光源

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